摻雜

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PN接面- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia一塊半導體晶體一側摻雜成P型半導體，另一側摻雜成N型半導體，中間二者相連的接觸面稱為PN接面（英語：p-n junction）。

PN接面是電子技術中許多元件， ...博碩士論文行動網論文名稱: 摻雜Co之金屬互化物YNi2B2C的研究. 論文名稱(外文): ... 的計算,求得樣品的G-L 參量,穿透深度及相干長度,其中G-L 參量介於 5 ~ 7.5 之間,與溫度並無明顯 ...以溶膠浸泡鍍膜法製備鋁鎵摻雜氧化鋅透明導電膜__臺灣博碩士論文 ...本研究以溶膠浸泡鍍膜法來製備氧化鋅膜，首先探討製程參數(拉升速度及鍍液溫度) 、摻雜元素(鋁、鎵、鋁/鎵)與摻雜量對於氧化鋅透明導電膜性質之影響，並搭配 ...[PDF] 國立交通大學光電工程研究所 - 國立交通大學機構典藏Hsinchu, Taiwan, Republic of China. 中華民國九十九年七 ... 圖4-4. 變非晶矽薄膜太陽能電池P 型層摻雜濃度並考慮摻雜引起缺陷的效應的. IV 圖… ... Marti A. Green, Araujo G. L. “Limiting efficiencies for photovoltaic energy conversion in multigap ...[PDF] 國立交通大學機構典藏- 交通大學Hsinchu, Taiwan, Republic of China. 中華民國九十五年六月 ... 與P-type 單晶矽之阻值對應溫度的上升，會依掺雜濃度不同而在不同. 溫度點有正負溫度係數的 ...成功大學電子學位論文服務論文名稱(中文), 鑭和鉻共摻雜對鐵酸鉍介電性質之影響. 論文名稱(英文) ... 我們利用固態反應法製作出純相BFO塊材和共摻雜La3+離子和Cr3+離子的BFO塊材，再 ... [4 ]G. L. Yuan and O. S. Wing, J. Appl. Phys. ... 聯絡E-mail：[email protected]. tw.[PDF] 下載附件 - 台灣化學工程學會可進一步提高至34.48 pmol hel gl,高於間接能隙能有效提高電子/. 電洞對的分離率 ... 生,以提高對硫化鋅的使用效能,則須對硫中心,使得電荷變得不平衡;摻雜的金屬. 化鋅奈米材料進行改 ... Y.B. Tang, T.W. Ng, H.L. Kwong, X.M.. Meng, C.S. Lee ...一庭栀子香_炼铁网 - 中国炼铁网移动版白色，是寒冷的颜色，而栀子花则白得那样纯净，那样彻底，不掺杂一点儿花样。

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仰望湛蓝的天空，几朵白云自由的飘逸。

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