絕緣體相反

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絕緣體- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia相反，絕大多數絕緣體通常具有非常大的帶隙寬度，價帶電子很難被激發至導帶， 因此絕緣體的載流子濃度極低，相應地電導也極低，或者說這種材料絕緣。

絕緣體的反義詞- "查查"在線詞典絕緣體的反義詞是： 導體；請點擊查看關於絕緣體反義詞的詳細信息...CN103238101B - 并入有包括拓扑绝缘体的拓扑材料的电装置及光学 ...当至少在拓扑绝缘体层的表面上形成具有相反磁化的两个磁畴时，两个磁畴的 ... 点电荷q/ e i及图像电荷Q1给出，而磁场由位置（〇, 〇, d)处的图像磁单极gl给出。

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CN1193235C - 电压传感器- Google Patents - google.gl... 号；1999年4月6日授予G.K.Woods和T.W.Renak的题为“用于探测电场中电压的电光 ... 本发明的简单结构主要去除了对通常昂贵的和/或不利于环境的绝缘体的需要； ... 体的与图1相似的视图，显示了形成隔离部件的实心棒(相反于空心柱)的使用。

美科學家發現與超導體特性相反的「超絕緣體」 - 電子工程專輯.2007年12月5日 · 超導金屬(superconducting metals)的工作原理，是將電子綁成庫柏對(Cooper pair) ，其運動能夠耦合為長串的電子。

這些電子與導體的晶格 ...CN102136413A - 倒角基板布线方法- Google Patents相反地，当绝缘体53下降时，等离子体不再能到达保护材料的与环60相对应的 ... 所述上绝缘体（53)的直径小于或等于待布线的所述基板的所述正面Gl)的未倒角 ...CN1790750A - 薄膜晶体管、其制造方法、显示设备及其制造方法 ...TW. Application number: TW94134805A. Filing date: 2005-10-05 ... 参照图1， 薄膜晶体管TFT包括：栅极线GL，栅电极110从所述栅极线GL分支出来； ... 栅电极110时，形成在薄膜晶体管TFT内部的沟道层的电特性从绝缘体变为导体，使得施加 ... 相反，当电压电平低于薄膜晶体管TFT的阈值电压的栅电压通过栅极线GL施加到栅 ...CN102939649A - 半导体器件及其制造方法- Google Patents由此，形成由埋入沟的绝缘膜(绝缘体）构成的元件隔离区STI。

... 侧墙SWl可以通过，在半导体衬底IS上以覆盖栅电极Gl的方式形成了例如氧化硅膜作为绝缘膜之后， ... 源区和漏区（η型杂质扩散区NR1)、栅电极(栅电极Gl)的杂质为相反的极性(导电类型）即可。

... US9627250B2 * 2013-03-12 2017-04-18 Taiwan Semiconductor ...CN101174071B - 液晶显示装置、以及电子设备- Google Patents2007 TW. Application number: TW096139500A. Filing date: 2007-10-22 ... [0203] 注意，在图4中提供布线119，相反，图27示出不提供布线119而使用栅极 ... [0222] 衬底101是玻璃衬底、石英衬底、由氧化铝等的绝缘体构成的衬底、能够耐 ... 在像素部8401中，多个扫描线Gl至Gm配置为从扫描线驱动电路8404在行方向上延伸。