CMOS電路 - 中文百科知識

基本單元電路反相器由N溝道和P溝道MOS場效應電晶體對管（見P溝道金屬-氧化物-半導體積體電路和N溝道金屬-氧化物-半導體積體電路）構成，以推挽形式工作,能實現一定邏輯 ... CMOS電路 基本單元電路反相器由N溝道和P溝道MOS場效應電晶體對管（見P溝道金屬-氧化物-半導體積體電路和N溝道金屬-氧化物-半導體積體電路）構成，以推挽形式工作,能實現一定邏輯功能的積體電路,簡稱CMOS。

單元電路如圖1。

CMOS電路的特點是：①靜態功耗低,每門功耗為納瓦級；②邏輯擺幅大,近似等於電源電壓;③抗干擾能力強,直流噪聲容限達邏輯擺幅的35%左右;④可在較廣泛的電源電壓範圍內工作,便於與其他電路接口；⑤速度快，門延遲時間達納秒級；⑥在模擬電路中套用，其性能比NMOS電路好；⑦與NMOS電路相比，集成度稍低；⑧有“自鎖效應”，影響電路正常工作。

電路簡介CMOS電路是互補型金屬氧化物半導體電路(ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor)的英文字頭縮寫，它由絕緣場效應電晶體組成，由於只有一種載流子，因而是一種單極型電晶體積體電路，其基本結構是一個N溝道MOS管和一個P溝道MOS管，如圖1所示。

CMOS電路工作原理由於兩管柵極工作電壓極性相反，故將兩管柵極相連作為輸入端，兩個漏極相連作為輸出端，如圖1(a)所示，則兩管正好互為負載，處於互補工作狀態。

當輸入低電平(Vi=Vss)時，PMOS管導通，NMOS管截止，輸出高電平，如圖1(b)所示。

　·當輸入高電平（Vi=VDD）時，PMOS管截止，NMOS管導通，輸出為低電平，如圖1(c)所示。

兩管如單刀雙擲開關一樣交替工作，構成反相器。

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