CMOS數位積體電路分析與設計（第三版） - 讀冊

本書對於CMOS數位IC設計有深入淺出的介紹，並加強對各式記憶體的介紹，對其核心結構及工作原理均有清晰嚴謹的描述。

內容包括：MOSFET的製造、MOS電晶體、MOS電晶體 ... 學堂 冊格子 二手書送你 登入 會員中心 Loading 購物車 書籍 中文書 雜誌 中文雜誌 日文MOOK 歐美雜誌 韓文雜誌 電子書 中文電子書 中文電子雜誌 二手書 二手中文書 二手簡體書 二手原文書 二手日文MOOK CD/DVD CD DVD 文具百貨 創意文具 生活百貨 健康很簡單 最高6%紅利 我要賣二手書 進階搜尋 ToggleDropdown 搜尋欄位 全文 書名/品名 作者/設計師 出版/製造/代理商 標籤 商品類型 選擇品類 全館 書籍 雜誌 電子書 二手書 唱片影音 文具百貨 選擇類別 選擇小分類 售價 至 元之間 折扣 請選擇 1折 2折 3折 4折 5折 6折 7折 8折 9折 至 請選擇 1折 2折 3折 4折 5折 6折 7折 8折 9折 折之間 出版日期 到 之間 二手書條件 請選擇書況 全新品 近全新 良好 普通 差強人意 請選擇備註 無畫線註記 有畫線 有註記 有畫線及註記 作家簽名 蓋藏書章 有附件 其他 安倍晉三解破台語東立漫博展85折寶瓶文化2本75折改變歷史酒醉現場 TAAZE讀冊生活 0 全文 書名/品名 作者/設計師 出版/製造/代理商 標籤 安倍晉三解破台語東立漫博展85折寶瓶文化2本75折改變歷史酒醉現場 首頁 登入 暫存清單 書籍 中文書 雜誌 中文雜誌 日文MOOK 歐美雜誌 韓文雜誌 電子書 中文電子書 中文電子雜誌 二手書 二手中文書 二手簡體書 二手原文書 二手日文MOOK CD/DVD CD DVD 文具百貨 創意文具 生活百貨 我要賣二手書 健康很簡單 最高6%紅利 學堂 冊格子 會員中心 CMOS數位積體電路分析與設計（第三版） 優惠價：95折，NT$618 放入購物車 首頁 > 中文書 > 教育 > 高等教育 > CMOS數位積體電路分析與設計（第三版） CMOS數位積體電路分析與設計（第三版） 作者：吳紹懋、黃正光 評價 2收藏  2收藏   1二手徵求  1二手徵求   定價：NT$650 優惠價：95折，NT$618 運送方式：超商取貨、宅配取貨 銷售地區：全球 訂購後，立即為您進貨 其他版本： 圖書館借閱 臺北市立圖書館 新北市立圖書館 臺中市立圖書館 國立公共資訊圖書館 臺南市立圖書館 高雄市立圖書館 臺灣大學圖書館 新竹市文化局圖書館 什麼是借閱查詢 借閱查詢功能可以連結到市立圖書館的館藏庫存，您可以藉由這個功能連結到該圖書館的網址，向圖書館員進行預約借閱。

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商品資料 作者：吳紹懋、黃正光出版社：全華圖書股份有限公司出版日期：2004-12-08ISBN/ISSN：9861570373語言：繁體中文裝訂方式：平裝頁數：840頁商品尺寸：長：75mm類別：中文書>教育>高等教育類別有誤？ 我的分類建議： 您的建議正在處理中... 標籤：目前無標籤您的標籤：新增您自己的標籤 內容簡介 目錄 購物須知 文字字級 本書對於CMOS數位IC設計有深入淺出的介紹，並加強對各式記憶體的介紹，對其核心結構及工作原理均有清晰嚴謹的描述。

內容包括：MOSFET的製造、MOS電晶體、MOS電晶體之SPICE模型、MOS(金屬氧化物半導體)反相器：靜態特性、MOS反相器：動態特性、組合MOS邏輯電路、序向MOS邏輯電路、動態邏輯電路、半導體記憶體、低功率CMOS邏輯電路、BiCMOS邏輯電路、晶片輸入和輸出電路(I/O)、可製造性導向的設計、可測試性導向的設計等。

適用於私立大學、科大電子、電機系『積體電路設計』課程。

目錄1章　簡　介1-11.1歷史觀點1-21.2本書的目標與結構1-61.3電路設計範例1-101.4VLSI設計的方法論總覽1-231.5設計流程1-261.6層級設計1-291.7一致化、模組化與區域化的觀念1-331.8設計型式1-351.9設計品質1-491.10包裝技術1-531.11電腦輔助設計技術1-56習　題1-582章　MOSFET的製造2-12.1序　言2-22.2製造流程的基本步驟2-32.3CMOS的n-井製程2-152.4佈局的設計規定2-222.5全客戶光罩佈局設計2-25習　題2-303章　MOS電晶體3-13.1金屬氧化物半導體(MOS)結構3-23.2外加偏壓下之MOS結構3-73.3MOS電晶體(MOSFET)的結構和操作3-113.4MOSFET之電流－電壓特性3-253.5MOSFET尺寸縮小及微小幾何化之效應3-433.6MOSFET的電容3-62習　題3-764章　MOS電晶體之SPICE模型4-14.1引　言4-24.1基本概念4-34.3LEVEL1模型方程式4-64.4LEVEL2模型方程式4-114.5LEVEL3模型方程式4-164.6先進MOSFET模型4-174.7電容模型4-184.8SPICEMOSFET模型的比較4-23附錄　典型之SPICE模型參數4-25習　題4-295章　MOS(金屬氧化物半導體)反相器：靜態特性5-15.1序　言5-25.2電阻型－負載反相器5-115.3增強型MOSFET負載反相器5-235.4CMOS反相器5-38習　題5-596章　MOS反相器：動態特性6-16.1序　言6-26.2延遲時間之定義6-46.3計算延遲時間6-66.4限定延遲的反相器設計6-176.5內部連線寄生參數評估6-326.6互連線延遲之計算6-456.7CMOS反相器的動態功率散失6-55附錄A　超級緩衝器設計6-65習　題6-677章　組合MOS邏輯電路7-17.1序　言7-27.2空乏型nMOS負載的MOS邏輯閘電路7-37.3CMOS邏輯電路7-187.4複合邏輯電路7-277.5CMOS傳輸閘(TGs)及TG邏輯7-42習　題7-538章　序向MOS邏輯電路8-18.1序　言8-28.2雙穩態元件性能描述8-38.3SR閂鎖電路8-118.4時脈閂鎖及正反器電路8-188.5CMOSD-閂鎖及邊緣觸發正反器8-27附錄　史密特觸發電路(SchmittTriggerCircuit)8-35習　題8-409章　動態邏輯電路9-19.1序　言9-29.2傳送電晶體電路基本原理9-59.3電壓提帶9-199.4同步動態電路技術9-239.5動態CMOS電路技術9-309.6高性能動態CMOS電路9-35習　題9-5610章　半導體記憶體10-110.1序　言10-210.2動態隨機存取記憶體(DRAM)10-810.3靜態隨機存取記憶體10-4310.4非揮發性記憶體10-6010.5快閃記憶體10-7610.6鐵電質隨機存取記憶體(FRAM)10-87習　題10-9011章　低功率CMOS邏輯電路11-111.1前　言11-211.2功率消耗(PowerConsumption)概論11-311.3縮小電壓的低功率設計11-1711.4切換活動力之估算與最佳化11-3011.5降低切換電容11-3811.6絕緣邏輯閘(AdiabaticLogic)11-40習　題11-4912章　BiCMOS邏輯電路12-112.1序　言12-212.2雙極性接面電晶體(BJT)：結構及動作12-512.3BJT之動態行為12-2012.4基本BiCMOS電路：靜態行為12-2812.5BiCMOS邏輯電路之切換時間延遲12-3112.6BiCMOS應用電路12-38習　題12-4213章　晶片輸入和輸出電路(I/O)13-113.1序　言13-213.2ESD保護13-213.3輸入電路13-613.4輸出電路和雜訊13-1213.5晶片上之時脈產生器和分佈電路13-1813.6閂鎖效應及預防13-24習　題13-3314章　可製造性導向的設計14-114.1簡　介14-214.2製程的變化性14-314.3基本的觀念及定義14-514.4實驗設計及性能模式建立14-1414.5參數化良率估計14-2414.6參數化良率之最大化14-3014.7最劣狀況分析14-3414.8性能變異性的最小化14-41習　題14-4615章　可測試性導向的設計15-115.1簡　介15-215.2誤動作的種類與模式15-215.3可控制性與可觀察性15-715.4特定用途的可測試設計技巧15-915.5掃描式測試技術15-1215.6內建自我測試技術15-1515.7電流監視的測試15-19習　題15-20參考文獻參-11章　簡　介1-11.1歷史觀點1-21.2本書的目標與結構1-61.3電路設計範例1-101.4VLSI設計的方法論總覽1-231.5設計流程1-261.6層級設計1-291.7一致化、模組化與區域化的觀念1-331.8設計型式1-351.9設計品質1-491.10包裝技術1-531.11電腦輔助設計技術1-56習　題1-582章　MOSFET的製造2-12.1序　言2-22.2製造流程的基本步驟2-32.3CMOS的n-井製程2-152.4佈局的設計規定2-222.5全客戶光罩佈局設計2-25習　題2-303章　MOS電晶體3-13.1金屬氧化物半導體(MOS)結構3-23.2外加偏壓下之MOS結構3-73.3MOS電晶體(MOSFET)的結構和操作3-113.4MOSFET之電流－...顯示全部內容購物須知退換貨說明：會員均享有10天的商品猶豫期（含例假日）。

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發表評論 歡迎你給予星評或評論 我來寫評論 看更多評論 收藏這本書的人也收藏了 CMOS數位積體電路分析與設計（第三版） 定價：650元 優惠價：95折 618元 輕鬆聊出好交情：50個幫助你輕鬆閒聊、快速消除隔閡的談話技巧 定價：240元 優惠價：88折 211元 驚人的「視力回復」眼球操：活到60歲也不會得老花眼的秘密！只要2週，視力從0.2升級至1.5！小孩、上班族、老年人都能做的「3分鐘視力回復療法」 定價：280元 優惠價：280元 恍惚，靜止卻又浮現：威士忌飲者的緩慢一瞬（限量簽名版） 定價：380元 優惠價：88折 334元 電子學實習（下）（殷.劉.蔣.林） 定價：270元 優惠價：88折 238元 近代物理（修訂版） 定價：740元 優惠價：98折 725元 小陌生人 定價：340元 優惠價：88折 299元 C++PrimerPlus5／e中文豪華版 定價：650元 優惠價：93折 605元 物理學下 定價：700元 優惠價：98折 686元 TheScienceofInterstellar(ISBN=9780393351378) 定價：625元 優惠價：9折 563元 威士忌的科學：從穀物發酵到蒸餾的煉金術，全面揭開征服全世界最多人味蕾的飲品秘辛 定價：630元 優惠價：79折 498元 電子學實驗（上）（修訂版） 定價：350元 優惠價：95折 333元 Verilog硬體描述語言數位電路─設計實務,6/e 定價：540元 優惠價：98折 529元 LogicandComputerDesignFundamentals 定價：6010元 優惠價：9折 5409元 OperatingSystemPrinciples7/e 定價：1100元 優惠價：88折 968元 FundamentalsofElectriccircuits電路學概論 定價：1200元 優惠價：98折 1176元 男生女生不難懂! 定價：220元 優惠價：88折 194元 羅傑‧艾克洛命案【克莉絲蒂120誕辰紀念版】 定價：280元 優惠價：9折 252元 Previous Next 近期最多人購買 社會學與台灣社會（第五版） 定價：650元 優惠價：9折 585元 人際歷程取向治療：整合模式 定價：570元 優惠價：93折 530元 質性研究方法與論文寫作 定價：750元 優惠價：93折 698元 心理評估：在諮商中的應用 定價：770元 優惠價：93折 716元 研究方法：基礎理論與技巧 定價：620元 優惠價：93折 577元 古文30輕鬆讀 定價：390元 優惠價：75折 293元 諮商輔導學辭典 定價：500元 優惠價：85折 425元 諮商與心理治療：理論與實務 定價：660元 優惠價：93折 614元 跨域行政：初階理論與實務 定價：680元 優惠價：79折 537元 臨床視網膜疾病學 定價：500元 優惠價：93折 465元 產業經濟學：理論與實際 定價：760元 優惠價：93折 707元 地理資訊系統概論（第五版修訂版） 定價：560元 優惠價：88折 493元 Previous Next 暫存清單 放入購物車 立即結帳 首頁 > 中文書 > 教育 > 高等教育 > CMOS數位積體電路分析與設計（第三版） CMOS數位積體電路分析與設計（第三版）Yourbrowserdoesnotsupportthevideotag.影片僅供參考，實物可能因再版或再刷而有差異 作者：吳紹懋、黃正光 評價 2收藏  2收藏   1二手徵求  1二手徵求   我要賣 行銷分紅 分享 優惠價：95折，NT$618 NT$650 運送方式：超商取貨、宅配取貨 銷售地區：全球 訂購後，立即為您進貨 其他版本 圖書館借閱     臺北市立圖書館     新北市立圖書館     臺中市立圖書館     國立公共資訊圖書館     臺南市立圖書館     臺南市立圖書館     高雄市立圖書館     臺灣大學圖書館     新竹市文化局圖書館     什麼是借閱查詢 借閱查詢功能可以連結到市立圖書館的館藏庫存，您可以藉由這個功能連結到該圖書館的網址，向圖書館員進行預約借閱。

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內容包括：MOSFET的製造、MOS電晶體、MOS電晶體之SPICE模型、MOS(金屬氧化物半導體)反相器：靜態特性、MOS反相器：動態特性、組合MOS邏輯電路、序向MOS邏輯電路、動態邏輯電路、半導體記憶體、低功率CMOS邏輯電路、BiCMOS邏輯電路、晶片輸入和輸出電路(I/O)、可製造性導向的設計、可測試性導向的設計等。

適用於私立大學、科大電子、電機系『積體電路設計』課程。

目錄 1章　簡　介1-11.1歷史觀點1-21.2本書的目標與結構1-61.3電路設計範例1-101.4VLSI設計的方法論總覽1-231.5設計流程1-261.6層級設計1-291.7一致化、模組化與區域化的觀念1-331.8設計型式1-351.9設計品質1-491.10包裝技術1-531.11電腦輔助設計技術1-56習　題1-582章　MOSFET的製造2-12.1序　言2-22.2製造流程的基本步驟2-32.3CMOS的n-井製程2-152.4佈局的設計規定2-222.5全客戶光罩佈局設計2-25習　題2-303章　MOS電晶體3-13.1金屬氧化物半導體(MOS)結構3-23.2外加偏壓下之MOS結構3-73.3MOS電晶體(MOSFET)的結構和操作3-113.4MOSFET之電流－電壓特性3-253.5MOSFET尺寸縮小及微小幾何化之效應3-433.6MOSFET的電容3-62習　題3-764章　MOS電晶體之SPICE模型4-14.1引　言4-24.1基本概念4-34.3LEVEL1模型方程式4-64.4LEVEL2模型方程式4-114.5LEVEL3模型方程式4-164.6先進MOSFET模型4-174.7電容模型4-184.8SPICEMOSFET模型的比較4-23附錄　典型之SPICE模型參數4-25習　題4-295章　MOS(金屬氧化物半導體)反相器：靜態特性5-15.1序　言5-25.2電阻型－負載反相器5-115.3增強型MOSFET負載反相器5-235.4CMOS反相器5-38習　題5-596章　MOS反相器：動態特性6-16.1序　言6-26.2延遲時間之定義6-46.3計算延遲時間6-66.4限定延遲的反相器設計6-176.5內部連線寄生參數評估6-326.6互連線延遲之計算6-456.7CMOS反相器的動態功率散失6-55附錄A　超級緩衝器設計6-65習　題6-677章　組合MOS邏輯電路7-17.1序　言7-27.2空乏型nMOS負載的MOS邏輯閘電路7-37.3CMOS邏輯電路7-187.4複合邏輯電路7-277.5CMOS傳輸閘(TGs)及TG邏輯7-42習　題7-538章　序向MOS邏輯電路8-18.1序　言8-28.2雙穩態元件性能描述8-38.3SR閂鎖電路8-118.4時脈閂鎖及正反器電路8-188.5CMOSD-閂鎖及邊緣觸發正反器8-27附錄　史密特觸發電路(SchmittTriggerCircuit)8-35習　題8-409章　動態邏輯電路9-19.1序　言9-29.2傳送電晶體電路基本原理9-59.3電壓提帶9-199.4同步動態電路技術9-239.5動態CMOS電路技術9-309.6高性能動態CMOS電路9-35習　題9-5610章　半導體記憶體10-110.1序　言10-210.2動態隨機存取記憶體(DRAM)10-810.3靜態隨機存取記憶體10-4310.4非揮發性記憶體10-6010.5快閃記憶體10-7610.6鐵電質隨機存取記憶體(FRAM)10-87習　題10-9011章　低功率CMOS邏輯電路11-111.1前　言11-211.2功率消耗(PowerConsumption)概論11-311.3縮小電壓的低功率設計11-1711.4切換活動力之估算與最佳化11-3011.5降低切換電容11-3811.6絕緣邏輯閘(AdiabaticLogic)11-40習　題11-4912章　BiCMOS邏輯電路12-112.1序　言12-212.2雙極性接面電晶體(BJT)：結構及動作12-512.3BJT之動態行為12-2012.4基本BiCMOS電路：靜態行為12-2812.5BiCMOS邏輯電路之切換時間延遲12-3112.6BiCMOS應用電路12-38習　題12-4213章　晶片輸入和輸出電路(I/O)13-113.1序　言13-213.2ESD保護13-213.3輸入電路13-613.4輸出電路和雜訊13-1213.5晶片上之時脈產生器和分佈電路13-1813.6閂鎖效應及預防13-24習　題13-3314章　可製造性導向的設計14-114.1簡　介14-214.2製程的變化性14-314.3基本的觀念及定義14-514.4實驗設計及性能模式建立14-1414.5參數化良率估計14-2414.6參數化良率之最大化14-3014.7最劣狀況分析14-3414.8性能變異性的最小化14-41習　題14-4615章　可測試性導向的設計15-115.1簡　介15-215.2誤動作的種類與模式15-215.3可控制性與可觀察性15-715.4特定用途的可測試設計技巧15-915.5掃描式測試技術15-1215.6內建自我測試技術15-1515.7電流監視的測試15-19習　題15-20參考文獻參-11章　簡　介1-11.1歷史觀點1-21.2本書的目標與結構1-61.3電路設計範例1-101.4VLSI設計的方法論總覽1-231.5設計流程1-261.6層級設計1-291.7一致化、模組化與區域化的觀念1-331.8設計型式1-351.9設計品質1-491.10包裝技術1-531.11電腦輔助設計技術1-56習　題1-582章　MOSFET的製造2-12.1序　言2-22.2製造流程的基本步驟2-32.3CMOS的n-井製程2-152.4佈局的設計規定2-222.5全客戶光罩佈局設計2-25習　題2-303章　MOS電晶體3-13.1金屬氧化物半導體(MOS)結構3-23.2外加偏壓下之MOS結構3-73.3MOS電晶體(MOSFET)的結構和操作3-113.4MOSFET之電流－...顯示全部內容 購物須知 退換貨說明：會員均享有10天的商品猶豫期（含例假日）。

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