薄膜電晶體- 维基百科，自由的百科全书

薄膜電晶體（英语：Thin-Film Transistor，缩写：TFT）是場效應電晶體的種類之一，大略的製作方式是在基板上沉積各種不同的薄膜，如半導體主動層、介電質和金屬電極層 ... 薄膜電晶體 語言 監視 編輯 薄膜電晶體（英語：Thin-FilmTransistor，縮寫：TFT）是場效應電晶體的種類之一，大略的製作方式是在基板上沉積各種不同的薄膜，如半導體主動層、介電質和金屬電極層。

TFT是在基板（如是應用在液晶顯示器，則基板大多使用玻璃）上沉積一層薄膜當做通道區。

大部份的TFT是使用氫化非晶矽（a-Si:H）當主要材料，因為它的能階小於單晶矽（Eg=1.12eV），也因為使用a-Si:H當主要材料，所以TFT大多不是透明的。

另外，TFT常在介電、電極及內部接線使用銦錫氧化物（ITO），ITO則是透明的材料。

因為TFT基板不能承受高的退火溫度，所以全部的沉積製程必須在相對低溫下進行。

如化學氣相沉積、物理氣相沉積（大多使用濺鍍技術）都是常使用的沉積製程。

如要製作透明的TFT，第一個被研究出來的方法是使用氧化鋅材料，此項技術由俄勒岡州立大學的研究員於2003年時發表。

[1] 常用的透明TFT半導體材料多爲金屬氧化物，除了ZnO之外，還有IGZO等。

但是這些金屬氧化物多爲n型半導體材料。

很多人都知道薄膜電晶體主要的應用是TFTLCD，液晶顯示器技術的一種。

電晶體被作在面板裡，這樣可以減少各像素間的互相干擾並增畫面穩定度。

大略是從2004年開始，大部份便宜的彩色LCD螢幕都是使用TFT技術的。

連在乳腺和癌症X-ray檢查的數位X-ray攝影技術上也很常使用TFT面板。

TFTLCD是有源矩陣類型液晶顯示器(AM-LCD)中的一種。

TFT的顯示採用「背透式」照射方式,通過在TFT的背部設定背光源，光源照射時通過TFTLCD的下偏光板向上透出，通過上下夾層的電極改成FET電極和共通電極，在FET電極導通時，液晶分子的表現也會發生改變，可以通過遮光和透光來達到TFTLCD顯示的目的。

新的AMOLED（主動陣列OLED）螢幕也內建了TFT層。

參見編輯 液晶顯示器 液晶電視 薄膜電晶體液晶顯示器(TFT-LCD)參考文獻編輯 ^Wager,John.OSUEngineersCreateWorld'sFirstTransparentTransistor.CollegeofEngineering,OregonStateUniversity,Corvallis,OR:OSUNews&Communication,2003.29July2007存档副本.[2007-07-29].（原始內容存檔於2007-09-15）.   這是一篇電子學小作品。

你可以透過編輯或修訂擴充其內容。

閱論編 取自「https://zh.wikipedia.org/w/index.php?title=薄膜電晶體&oldid=66346710」