電晶體是什麼？ 元件溫度計算方式

這是取代計算方法1或2中所介紹的接合處-空氣間的熱電阻：Rth（j-c），從接合處-外殼之間的熱電阻來計算的方法。

計算接合點溫度的方法. *ROHM以放射溫度計測量標印面的最高 ... 使用InternetExplorer的用戶:瀏覽ROHM網站不推薦使用IE11瀏覽器。

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Rth（j-a）的值根據各晶體而異，但若封包相同的話，將會出現類似的近似值。

**功耗非固定，時間有所變化的話，則以功耗做概略計算。

（求出平均消費電力的方法請參照『電晶體的使用可否判定方法』。

）以下舉例為Rth（j-a）為250ºC/W且周邊溫度為25ºC時所顯示的消費電力和接合處溫度的關係。

以功耗為比例，接合處溫度會上升。

此時的比例定數為Rth（j-a）。

Rth（j-a）為250ºC/W，功耗每增加0.1W，接合處溫度則增加25ºC。

功耗為0.5W時，接合處溫度則為150ºC。

此例子中，可得知不會增加0.5W以上的功率。

接下來是Rth（j-a）同樣為250ºC/W時，考量周圍溫度變化的例子。

也就是說，即使是相同的施加功率，由於周圍溫度上升後，符合該程度的接合處溫度也會上升，可施加的功率會變小。

不只是熱電阻，根據環境的溫度，也會影響最大功耗。

由於環境溫度在150ºC時，可施加的功率會歸零，的比例中，可得知最大消費電力會變小。

顯示出此關係的便是以下的功率減輕曲線。

功率減輕曲線是以百分率顯示，可應用於所有的封包上。

舉例來說，MPT3封包為25ºC時，最大施加功率為0.5W，0.8%/ºC的比例中，可施加功率會變小，50ºC時為80%（減少20%）的0.4W、100ºC時為40%（減少60%）的0.2W。

前往詳細產品頁面接合處的溫度計算方法2：從周圍溫度(過渡熱電阻)「1.從環境溫度（基本）」中，以功率可連續追加時為例子做考量。

接著，可考量出瞬間功率會因為施加而上升溫度。

藉由施加瞬間功率導致的溫度上升，是使用過渡熱電阻來計算。

此圖表顯示過渡的熱電阻（過渡熱電阻）。

橫軸為脈衝幅度、縱軸為熱電阻Rth（j-a），隨著施加時間變長，隨著接合處溫度上升，可了解經過約200秒後，會出現熱飽和，並達成一定的溫度。

舉例來說，由於施加時間為30ms，Rth（j-a）為20ºC/W，環境溫度為25ºC，3W的電力在30ms之間施加的話，可明白接合處溫度為若瞬間功率以單發施加的話，可用計算求出接合處溫度。

前往詳細產品頁面接合處的溫度計算方法3：從外殼溫度可從外殼溫度求出接合處溫度。

這是取代計算方法1或2中所介紹的接合處-空氣間的熱電阻：Rth（j-c），從接合處-外殼之間的熱電阻來計算的方法。

*ROHM以放射溫度計測量標印面的最高溫點溫度。

根據測量方法的不同可能會有大幅變化，請多加注意。

**功耗非固定，時間有所變化的話，則以功耗做概略計算。

但是，特別是Rth（j-c）的值根據實裝的基板或軟銲等放熱條件的不同，會有大幅度的變化，使用敝社標準基板的測定值可能會有不通用於客戶機板的狀況，請多加注意。

以下以因為基板的集極端面積較大而使Rth（j-c）變小為例。

（集極端的面積、厚度、材質等其他、基板的材質、大小、配線尺寸等也會有所變化。

）如上所示，Rth（j-c）的值容易因為基板條件等狀態而變化，加上正確的外殼溫度難以測量，以推斷接合處溫度來說，不太推薦此方法。

前往詳細產品頁面關於接合處-外殼之間的熱電阻Rth（j-c）接合處-外殼之間的熱電阻Rth（j-c）為，原先使用以散熱板固定的TO220封包等的自立型裝置的狀態下之值。

在此狀況下，接合處-外殼之間為主要的散熱路徑，藉由測量該路徑中途的外殼溫度，可正確地求出接合處溫度。

特別是假設使用具有理想散熱性的散熱板（無限大散熱板）的狀況下，考慮到散熱能力為無限大，視為外殼溫度=大氣溫度，（顯示Tc=25ºC等）會以外殼溫度=25ºC來計算。

（由於無限大散熱板的熱電阻：Rth（c-a），則Rth（j-a）=Rth（j-c）。

）但是，若為表面安裝型的裝置，從裝置下的基板的散熱為主要散熱路徑，難以測量該部分的外殼溫度。

即使從裝置的標印面溫度測量，和全體散射量相較之下，從標面量散熱的比例非常地小，不適合當作測量接合處溫度用值。

想求出安裝表面品的Rth（j-c）值的要求較多，因此才會提議安裝敝社標準基板，測量標印面溫度，求出Rth（j-c）的值。

若是安裝敝社標準基板，此時的Rth（j-c）會成為特別條件下的值。

若是安裝與敝社標準基板不同的基板，從標印面散熱的比例會改變，Rth（j-c）值也會變更，無法推斷出接合處溫度。

前往詳細產品頁面代表性封包的抵抗值此數據是以測量LOT為基本製作。

請遵從並將本數據作為參考值活用。

（非保證值或最大、最小值。

）因為安裝機板或軟銲導致散熱條件或測量溫度方法的改變，Rth（j-a）會出現大幅變化。

請當作參考值活用。

封裝VMT3EMT3EMT5EMT6TUMT3安裝機板FR4機板尺寸(unit：mm)20×12×0.820×15×0.820×15×0.820×15×0.820×12×0.8Rth(j-a)/Rth(ch-a)833ºC/W833ºC/W1042ºC/W1042ºC/W313ºC/W備註－－只有1元件的動作只有1元件的動作－封裝TUMT6UMT3UMT5UMT6SMT3安裝機板FR4機板尺寸(unit：mm)15×20×0.820×12×0.820×15×0.815×20×0.820×12×0.8Rth(j-a)/Rth(ch-a)313ºC/W625ºC/W1042ºC/W1042ºC/W625ºC/W備註只有1元件的動作－只有1元件的動作只有1元件的動作－封裝SMT5SMT6TSMT3TSMT5TSMT6安裝機板FR4機板尺寸(unit：mm)20×15×0.820×15×0.830×15×0.820×15×0.820×15×0.8Rth(j-a)/Rth(ch-a)625ºC/W625ºC/W250ºC/W250ºC/W250ºC/W備註只有1元件的動作只有1元件的動作－只有1元件的動作只有1元件的動作封裝SOP8MPT3CPT3SST3　安裝機板 FR4機板尺寸(unit：mm)20×20×0.812×20×0.812×30×0.820×12×0.8 Rth(j-a)/Rth(ch-a)160ºC/W250ºC/W125ºC/W625ºC/W 備註只有1元件的動作－－－ 電晶體前往詳細產品頁面安全使用挑選方法負載開關 tr_whaｔ共通フッター 電晶體是什麼？篇目 電晶體的歷史 外觀特徵 電晶體是什麼？ 數位電晶體的原理 MOSFET的特性 導通電阻 總閘極電荷（Qg） 安全使用挑選方法 元件溫度計算方式 負載開關 常見問題 技料術資 型號的構成 包裝規格 保存條件 SideNavi-ElectronicsTrivia(sidemenu) 電晶體是什麼？ 電晶體的歷史 外觀特徵 電晶體是什麼？ 數位電晶體的原理 MOSFET的特性 導通電阻 總閘極電荷（Qg） 安全使用挑選方法 元件溫度計算方式 負載開關 常見問題 技術資料 型號的構成 包裝規格 保存條件 什麼是二極體？New 歷史與原理 概要 整流二極體 開關二極體 蕭特基二極體 定電壓（齊納）二極體 TVS二極體New 高頻二極體 常見問題 技術資料 型號的構成 包裝規格 保存條件 品質保證與可靠度 何謂SiC功率元件？ SiC半導體的 SiC蕭特基二極體 SiC-MOSFET SiC功率模組 技術資料 SiC元件應用指南 什麼是IGBT？ IGBT（絕緣閘極雙極性電晶體） IGBT適用範圍 IGBT的市場 何謂LED？ 為什麼LED會發光？ 波長與顏色 白光是如何產生？ 7段LED LED用語說明 使用LED時須注意的LED特性 LED電路結構 什麼是光續斷器？ 什麼是光續斷器？ 光續斷器使用範例 紅外線LED和光電電晶體 續斷器的種類 高光電轉換率・省電續斷器 何謂雷射二極體？ 何謂雷射二極體？ 雷射二極體的特色和用途 雷射二極體的封裝 雷射二極體的晶片構造 注入電流-光輸出(I-L)特性 雷射光的形狀 雷射二極體的振盪波長 像散差(As) LD操作注意事項 什麼是LiDAR？ 電阻是什麼？ 基本知識 概要 何謂分流電阻？ 製造晶片電阻 製造流程範例 何謂網版印刷 雷射修整 晶片電阻的規格 關於晶片電阻尺寸 何謂額定功率 什麼是額定電壓？ 使用了引腳溫度降額技術的大功率保證 什麼是電阻溫度係數① 什麼是電阻溫度係數② TCR計算工具的使用方法 晶片電阻的使用方法 關於超出額定功率使用 晶片電阻故障案例 厚膜晶片電阻器遭到突波破壞 焊接破裂導致晶片電阻電阻值不良 厚膜晶片電阻器破壞由硫化 關於底面安裝低阻值電阻的優點 過負載引起的損壞 常見問題 技術資料 使用上的注意事項 產品常見問題 保管條件 焊接條件 型號的構成 標稱電阻值及其他 什麼是鉭質電容？ 電容的種類 電容的基本功能 鉭質電容的構造 陶瓷電容和鉭質電容1 陶瓷電容和鉭質電容2 什麼是D/A轉換器？ 什麼是A/D轉換、D/A轉換 A/D轉換、D/A轉換的必要性 數位的世界採用2進位 多種D/A轉換方式 基本類型1（解碼器方式） 基本類型2（二進位方式） 基本類型3（溫度計編碼方式） 什麼是A/D轉換器？ 什麼是A/D轉換器？ 基本運作模式 基本款1（快閃型） 基本款2（管線式） 基本款3（連續漸近式） 什麼是運算放大器？ 運算放大器・比較器是什麼？ 電路結構 運算放大器的種類 雜訊特性(EMI和EMS) 典型參數 放大率與電壓增益 輸入偏移電壓 迴轉率 負回授系統與其效果 絕對最大額定值 電源電壓・工作電源電壓範圍 差分輸入電壓 同相輸入電壓 輸入電流 溫度特性 什麼是半導體記憶體？ 什麼是半導體記憶體？ 原理裝置＜DRAM＞ 原理裝置＜SRAM＞ 原理裝置＜MaskROM＞ 原理裝置＜EEPROM＞ 原理裝置＜FLASH＞ EEPROM介面的特色 選擇介面的方式 配置端子和端子功能 比較命令 使用多個EEPROM時的構造範例＜I2C＞ 使用多個EEPROM時的構造範例＜SPI＞ 使用多個EEPROM時的構造範例＜Microwire＞ 何謂DC/DC轉換器？ 何謂DC/DC轉換器？ 有關AC（交流）和DC（直流） 為何需要DC/DC轉換器？ 電源IC種類 線性穩壓器和開關式穩壓器(1) 線性穩壓器和開關式穩壓器(2) 線性穩壓器工作原理 線性穩壓器的類別 什麼是LDO？ 何謂AC/DC轉換器？ AC/DC轉換器 全波整流和半波整流 變壓器方式 開關方式 回饋控制 輕載模式 什麼是無線充電？ 什麼是無線充電？ 無線充電的方式 何謂電磁感應方式？ 電磁感應方式的推廣團體 何謂USBPowerDelivery？ USBPowerDelivery USBPowerDelivery的優點 什麼是充電控制IC？ 關於電池（Battery） 充電方法 何謂馬達(motor)？ 何謂馬達(motor)？ 馬達如何才會轉動？(1) 馬達如何才會轉動？(2) 半導體保險絲（IPD） IPD 高側開關和低側開關 何謂感測器（Sensor）？ 何謂感測器（Sensor）？ 地磁感測器 脈搏感測器 氣壓感測器 加速度感測器 電流感測器 色彩感測器 什麼是無線？ 無線 近距離無線通訊 調變方式 Wi-SUN 何謂印字頭？ 何謂印字頭？ 熱感寫印字頭 熱感寫印字頭的歷史 加熱元件和點距（用語解說） 薄膜壓電MEMS 何謂壓電？ 壓電相關用語 何謂MEMS？ MEMS相關用語 SPICE是什麼？ SPICE的歷史 SPICE的功用？ 電路模擬流程和元件模型 Macro模型 何謂ApplicationNote？ 文件資料 國際標準 ISO26262 HACCP 電子小百科：共通CSS     羅姆網站使用了Cookie。

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