cmos邏輯電路

高速CMOS电路的电源电压VDD通常为+5V；Vss接地，是0V。 高电平视为逻辑“1”，电平值的范围为：VDD的65%～VDD( ...

·CMOS允許極高的邏輯集成密度。其含義就是邏輯電路可以做得非常小，可以製造在極小的面積上。 ·用於製造硅片CMOS芯片的工藝已經是眾所周知，並且CMOS芯片的製造和銷售價格 ...

基本單元電路反相器由N溝道和P溝道MOS場效應電晶體對管（見P溝道金屬-氧化物-半導體積體電路和N溝道金屬-氧化物-半導體積體電路）構成，以推挽形式工作,能實現一定邏輯 ...

•9.4 时钟控制CMOS. •9.5 动态CMOS逻辑电路. •9.6 双轨逻辑电路. 2018-9-5. 第9章CMOS逻辑电路的高级技术. 2. §9.1 镜像电路. • 对NMOS和PM...

高速CMOS電路的電源電壓VDD通常為+5V；Vss接地，是0V。 高電平視為邏輯“1”，電平值的範圍為： ...