薄膜電晶體- 維基百科，自由的百科全書

薄膜電晶體（英語：Thin-Film Transistor，縮寫：TFT）是場效應電晶體的種類之一，大略的製作方式是在基板上沉積各種不同的薄膜，如半導體主動層、介電質和金屬電極層 ... 薄膜電晶體 維基百科，自由的百科全書 跳至導覽 跳至搜尋 薄膜電晶體（英語：Thin-FilmTransistor，縮寫：TFT）是場效應電晶體的種類之一，大略的製作方式是在基板上沉積各種不同的薄膜，如半導體主動層、介電質和金屬電極層。

TFT是在基板（如是應用在液晶顯示器，則基板大多使用玻璃）上沉積一層薄膜當做通道區。

大部份的TFT是使用氫化非晶矽（a-Si:H）當主要材料，因為它的能階小於單晶矽（Eg=1.12eV），也因為使用a-Si:H當主要材料，所以TFT大多不是透明的。

另外，TFT常在介電、電極及內部接線使用銦錫氧化物（ITO），ITO則是透明的材料。

因為TFT基板不能承受高的退火溫度，所以全部的沉積製程必須在相對低溫下進行。

如化學氣相沉積、物理氣相沉積（大多使用濺鍍技術）都是常使用的沉積製程。

如要製作透明的TFT，第一個被研究出來的方法是使用氧化鋅材料，此項技術由俄勒岡州立大學的研究員於2003年時發表。

[1] 常用的透明TFT半導體材料多爲金屬氧化物，除了ZnO之外，還有IGZO等。

但是這些金屬氧化物多爲n型半導體材料。

很多人都知道薄膜電晶體主要的應用是TFTLCD，液晶顯示器技術的一種。

電晶體被作在面板裡，這樣可以減少各像素間的互相干擾並增畫面穩定度。

大略是從2004年開始，大部份便宜的彩色LCD螢幕都是使用TFT技術的。

連在乳腺和癌症X-ray檢查的數位X-ray攝影技術上也很常使用TFT面板。

TFTLCD是有源矩陣類型液晶顯示器(AM-LCD)中的一種。

TFT的顯示採用「背透式」照射方式,通過在TFT的背部設定背光源，光源照射時通過TFTLCD的下偏光板向上透出，通過上下夾層的電極改成FET電極和共通電極，在FET電極導通時，液晶分子的表現也會發生改變，可以通過遮光和透光來達到TFTLCD顯示的目的。

新的AMOLED（主動陣列OLED）螢幕也內建了TFT層。

參見[編輯] 液晶顯示器 液晶電視 薄膜電晶體液晶顯示器(TFT-LCD) 參考文獻[編輯] ^Wager,John.OSUEngineersCreateWorld'sFirstTransparentTransistor.CollegeofEngineering,OregonStateUniversity,Corvallis,OR:OSUNews&Communication,2003.29July2007存档副本.[2007-07-29].（原始內容存檔於2007-09-15）.  閱論編半導體物理學原理 本徵半導體 雜質半導體 能帶結構 導帶 價帶 能隙 載流子 電子 空穴 施主 受主 光生伏打效應 半導體雷射 霍爾效應 肖特基勢壘 歐姆接觸 工藝 光刻 刻蝕 摻雜 簡併 離子注入 分子束外延 物理氣相沉積 化學氣相沉積 化學機械平坦化 SOI 器件 PN結 電晶體 二極體 發光二極體 BJT FET MOSFET CMOS 晶閘管 薄膜電晶體 太陽能電池 這是一篇電子學小作品。

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閱論編 取自「https://zh.wikipedia.org/w/index.php?title=薄膜電晶體&oldid=66346710」 分類：​電晶體種類薄膜隱藏分類：​全部小作品電子學小作品 導覽選單 個人工具 沒有登入討論貢獻建立帳號登入 命名空間 條目討論 臺灣正體 不转换简体繁體大陆简体香港繁體澳門繁體大马简体新加坡简体臺灣正體 查看 閱讀編輯檢視歷史 更多 搜尋 導航 首頁分類索引特色內容新聞動態近期變更隨機條目資助維基百科 說明 說明維基社群方針與指引互助客棧知識問答字詞轉換IRC即時聊天聯絡我們關於維基百科 工具 連結至此的頁面相關變更上傳檔案特殊頁面靜態連結頁面資訊引用此頁面維基數據項目 列印/匯出 下載為PDF可列印版 其他專案 維基共享資源 其他語言 العربيةБеларуская(тарашкевіца)CatalàDeutschEnglishEspañolEestiEuskaraفارسیSuomiFrançaisGalegoMagyarBahasaIndonesiaItaliano日本語ಕನ್ನಡ한국어МакедонскиNederlandsNorskbokmålPolskiPortuguêsРусскийSvenskaTürkçeУкраїнськаTiếngViệt 編輯連結