半導體第六章 - SlideShare

它的極性將多數載. 子(p-型區的電洞與n-型區的自由電子)推向接面，. 並使空乏區的寬度減少。 圖: 施加電壓的pn 接面. V. F. 注意，此圖 ...

-3 而n 區摻雜至Nd=10. 17 cm. -3. 解：在室溫下，矽的本質載子濃度約. 帶入公式可求得. 六、接面電容(空乏層電容). 其中，Cj0 為無施加電壓時之接面電容.

空乏層在PN接面兩側有相同量的電荷，因此它向較少摻雜的一側延展更遠（圖A與圖B的n端）。 順向偏壓[編輯]. 若施加在P區的電壓高於N ...

空乏層（英語：depletion region），又稱空乏區、阻擋層、勢壘區（barrier region），是指PN接面中在漂移運動和擴散作用的雙重影響下載子數量非常少的一個高電阻區域。

FET可分為MOSFET與JFET，MOSFET可分為增強型與空乏型。 之夾止飽和電流ID = k×(VGS. VGS t )2。 ... 代入夾止飽和區輸出電流公式，可得ID = k×(VGS...