空乏區寬度公式完整相關資訊| 數位感-2021年7月

空乏區會產生一個電位差，以阻止多數載子進入，這個電位差稱為障壁電位。 △圖2-10 未加偏壓的PN接面 ... 公式2-2-1. △圖2-15 二極體的V-I特性曲線. 順向特性.

使得在結合面附近的區域內缺乏載子，形成空乏區（Depletion region）或空間. 電荷區（Spacecharge region），如下圖所示⇩. 不要以為N 型半導體中的電子會不斷的透過...

空乏層在PN接面兩側有相同量的電荷，因此它向較少摻雜的一側延展更遠（圖A與圖B的n端）。 順向偏壓[編輯]. 若施加在P區的電壓高於N ...

理想MOS 曲線（ C-V 圖） <ul><li>空乏情形下，正偏壓加的越多，半導體空乏區寬度 ... 平帶電壓狀態介於聚積狀態與空乏狀態之間： </li></ul><ul><li>由平帶電壓公...

它的極性將多數載. 子(p-型區的電洞與n-型區的自由電子)推向接面，. 並使空乏區的寬度減少。 圖: 施加電壓的pn 接面. V. F. 注意，此圖 ...