CMOS數位積體電路分析與設計(3版) - 五南文化廣場
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本書對於CMOS數位IC設計有深入淺出的介紹,並加強對各式記憶體的介紹,對其核心結構及工作原理均有清晰嚴謹的描述。
內容包括:MOSFET的製造、MOS電晶體、MOS電晶體 ...
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一般分類:
暢銷精選 > 科學科普 > 理工
CMOS數位積體電路分析與設計(3版)
編/著者:
吳紹懋黃正光
出版社:麥格羅-全華
ISBN:9789861570372
參考分類(CAT):
參考分類(CIP): 電機工程
優惠期限:2022-12-31
優惠價:9折,585元
定價: $650 無法訂購
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|內容簡介|
內容簡介本書對於CMOS數位IC設計有深入淺出的介紹,並加強對各式記憶體的介紹,對其核心結構及工作原理均有清晰嚴謹的描述。
內容包括:MOSFET的製造、MOS電晶體、MOS電晶體之SPICE模型、MOS(金屬氧化物半導體)反相器:靜態特性、MOS反相器:動態特性、組合MOS邏輯電路、序向MOS邏輯電路、動態邏輯電路、半導體記憶體、低功率CMOS邏輯電路、BiCMOS邏輯電路、晶片輸入和輸出電路(I/O)、可製造性導向的設計、可測試性導向的設計等。
適用於私立大學、科大電子、電機系『積體電路設計』課程。
目次1章 簡 介1-11.1歷史觀點1-21.2本書的目標與結構1-61.3電路設計範例1-101.4VLSI設計的方法論總覽1-231.5設計流程1-261.6層級設計1-291.7一致化、模組化與區域化的觀念1-331.8設計型式1-351.9設計品質1-491.10包裝技術1-531.11電腦輔助設計技術1-56習 題1-582章 MOSFET的製造2-12.1序 言2-22.2製造流程的基本步驟2-32.3CMOS的n-井製程2-152.4佈局的設計規定2-222.5全客戶光罩佈局設計2-25習 題2-303章 MOS電晶體3-13.1金屬氧化物半導體(MOS)結構3-23.2外加偏壓下之MOS結構3-73.3MOS電晶體(MOSFET)的結構和操作3-113.4MOSFET之電流-電壓特性3-253.5MOSFET尺寸縮小及微小幾何化之效應3-433.6MOSFET的電容3-62習 題3-764章 MOS電晶體之SPICE模型4-14.1引 言4-24.1基本概念4-34.3LEVEL1模型方程式4-64.4LEVEL2模型方程式4-114.5LEVEL3模型方程式4-164.6先進MOSFET模型4-174.7電容模型4-184.8SPICEMOSFET模型的比較4-23附錄 典型之SPICE模型參數4-25習 題4-295章 MOS(金屬氧化物半導體)反相器:靜態特性5-15.1序 言5-25.2電阻型-負載反相器5-115.3增強型MOSFET負載反相器5-235.4CMOS反相器5-38習 題5-596章 MOS反相器:動態特性6-16.1序 言6-26.2延遲時間之定義6-46.3計算延遲時間6-66.4限定延遲的反相器設計6-176.5內部連線寄生參數評估6-326.6互連線延遲之計算6-456.7CMOS反相器的動態功率散失6-55附錄A 超級緩衝器設計6-65習 題6-677章 組合MOS邏輯電路7-17.1序 言7-27.2空乏型nMOS負載的MOS邏輯閘電路7-37.3CMOS邏輯電路7-187.4複合邏輯電路7-277.5CMOS傳輸閘(TGs)及TG邏輯7-42習 題7-538章 序向MOS邏輯電路8-18.1序 言8-28.2雙穩態元件性能描述8-38.3SR閂鎖電路8-118.4時脈閂鎖及正反器電路8-188.5CMOSD-閂鎖及邊緣觸發正反器8-27附錄 史密特觸發電路(SchmittTriggerCircuit)8-35習 題8-409章 動態邏輯電路9-19.1序 言9-29.2傳送電晶體電路基本原理9-59.3電壓提帶9-199.4同步動態電路技術9-239.5動態CMOS電路技術9-309.6高性能動態CMOS電路9-35習 題9-5610章 半導體記憶體10-110.1序 言10-210.2動態隨機存取記憶體(DRAM)10-810.3靜態隨機存取記憶體10-4310.4非揮發性記憶體10-6010.5快閃記憶體10-7610.6鐵電質隨機存取記憶體(FRAM)10-87習 題10-9011章 低功率CMOS邏輯電路11-111.1前 言11-211.2功率消耗(PowerConsumption)概論11-311.3縮小電壓的低功率設計11-1711.4切換活動力之估算與最佳化11-3011.5降低切換電容11-3811.6絕緣邏輯閘(AdiabaticLogic)11-40習 題11-4912章 BiCMOS邏輯電路12-112.1序 言12-212.2雙極性接面電晶體(BJT):結構及動作12-512.3BJT之動態行為12-2012.4基本BiCMOS電路:靜態行為12-2812.5BiCMOS邏輯電路之切換時間延遲12-3112.6BiCMOS應用電路12-38習 題12-4213章 晶片輸入和輸出電路(I/O)13-113.1序 言13-213.2ESD保護13-213.3輸入電路13-613.4輸出電路和雜訊13-1213.5晶片上之時脈產生器和分佈電路13-1813.6閂鎖效應及預防13-24習 題13-3314章 可製造性導向的設計14-114.1簡 介14-214.2製程的變化性14-314.3基本的觀念及定義14-514.4實驗設計及性能模式建立14-1414.5參數化良率估計14-2414.6參數化良率之最大化14-3014.7最劣狀況分析14-3414.8性能變異性的最小化14-41習 題14-4615章 可測試性導向的設計15-115.1簡 介15-215.2誤動作的種類與模式15-215.3可控制性與可觀察性15-715.4特定用途的可測試設計技巧15-915.5掃描式測試技術15-1215.6內建自我測試技術15-1515.7電流監視的測試15-19習 題15-20參考文獻參-1
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