高熵陶瓷材料開發 - 研究發展處

本計畫選用Ba0.5Sr0.5TiO3陶瓷做為基材，摻雜MgO與CaO至BST陶瓷裡並做系統性的研究。

開發高熵陶瓷電容，使其在高頻下具有良好的介電特性，適用於5G電子產品上。

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本計畫選用Ba0.5Sr0.5TiO3陶瓷做為基材，摻雜MgO與CaO至BST陶瓷裡並做系統性的研究。

開發高熵陶瓷電容，使其在高頻下具有良好的介電特性，適用於5G電子產品上。

四、研究團隊績效達成情形     本計畫的技術轉移金額於民國108年度達到40萬元，[薄膜電阻合金]，發明I525196號，捷弘資通有限公司。

並透過產學合作與公營事業或是私人企業集資，產學金額達到237.5萬元，怡科科技36萬元、美林能源15萬元、陽光能20.5萬元、千如40萬元、台塑20萬元、愛迪克6萬元、漁業署100萬元。

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