服務項目一覽表

EDS能量分散光譜儀可提供微區分析中化學元素的定性及半定量及化學 ... COMPO（Com position）：成分元素鑑別及分析。

... 表面成份分析（Mass spectrum）。

服務項目一覽表 字體大小調整 小 中 大 儀器名稱 服務項目 軟物質穿透式電子顯微鏡 （軟物質TEM） 一般TEM明、暗視野之觀察，及影相擷取。

高解析穿透電子顯微鏡 （HR-TEM） 一般TEM明、暗視野像，HRTEMmode可達0.1nm，STEMmode可達0.12nm。

高解析掃描穿透明、暗視野像（HRSTEMBFandHAADF）。

nano-beamDiffraction微區繞射分析。

CBED（ConvergentBeamElectronDiffraction）收斂電子束繞射圓盤強度分佈，可分析獲得微觀結構三度空間資料。

EDS能量分散光譜儀可提供微區分析中化學元素的定性及半定量及化學元素mapping／linescan分析。

EELS電子能量損失光譜分析儀可提供微區分析中輕元素，化學鍵結等更正確的相關資料，Energyresolution可達1ev。

高解析掃描電子顯微鏡 （HR-SEM） 金相觀察及照相： SEI（ScanningElectronImage）：奈米、金屬、陶瓷、薄膜等材料之顯微鏡影像及破斷面、金相表面觀察。

BEI（BackscatteredElectronImage）： TOPO（Topography）：凹凸表面形貌觀察。

COMPO（Composition）：成分元素鑑別及分析。

。

能量分散式光譜儀（EDS）： 微區顯微結構之定性及半定量分析，及元素分佈分析（mapping、linescanning）。

配備超高感度平插式能量分散式光譜儀（108年12月），可以用低電壓設定分析薄膜或奈米線等材料，此為最新功能的高解析分析設備。

功能為定性及半定量分析，及元素分佈分析（mapping、linescanning）。

多功能環境場發掃描式 電子顯微鏡 （EFE-SEM） 表面觀察及照相： SEI（ScanningElectronImage）影像：解析度高,主要作物體表面之觀察。

BEI（BackscatteredElectronImage）影像：成份組成及元素鑑別分析。

TOPO（Topography）：表面凹凸形貌觀察。

COMPO（Composition）：元素分佈鑑別及分析。

EDS分析：微區成份元素定性、半定量分析、元素分布分析（mapping、linescanning）等。

分析型場發掃描式電子顯微鏡 （AFE-SEM） 金相觀察及照相： SEI（ScanningElectronImage）：影像觀察，破斷面、金相表面觀察。

BEI（BackscatteredElectronImage）： TOPO（Topography），凹凸表面觀察。

COMPO（Composition），元素鑑別及分析。

「能量分散光譜儀」（EnergyDispersiveX-raySpectrometer）可作微區成分之定性、半定量分析。

高解析感應耦合電漿 質譜分析儀 （ICP-MS） 本儀器可提供樣品中各種微量元素濃度的分析服務，分析內容依委託單位需求可分為： 半定量分析：可提供元素及元素的濃度範圍。

定量分析：提供確切的分析數據。

分析服務對象包括：材料科技研究；環境、食品及藥品研究；生物醫學、化學及工業產品分析等有關研究領域的原素分析服務。

附件：高解析液相層析串聯質譜儀（UPLC-QTOF-MS），可用以分析高效能液相層析分離及分子量測定及定量分析。

二次離子質譜儀 （SIMS） 表面成份分析（Massspectrum）。

縱深分佈（Depthprofile）。

高解析氣相層析飛行質譜儀 （HRMS） EI，CI，FAB，FDMode之一般解析度質譜測定。

EI，CIMode高解析度質譜測定及組成演算。

EI，CI，FAB，FDMode之負離子質譜測定。

固態核磁共振光譜儀 （SS-NMR） 一般服務：13C，29Si，31P，27Al，23Na，119Sn，11B，2H，7Li，51V等。

特殊服務： 2D。

變溫實驗。

超導核磁共振儀500NMR （500NMR） 一維光譜：1H、13C（DEPT90、DEPT135）、19F、31P。

二維光譜：COSY、NOESY、TOCSY、HMQC、HMBC、INADEQUATE、ROESY。

推測分子式或結構式（請註明樣品重量級分子量） 600MHz核磁共振儀 （600NMR） 一維光譜：1H、13C（DEPT90、DEPT135）、29Si、31P等異核圖譜。

二維光譜：COSY、NOESY、ROESY、TOCSY、HMBC、HMQC等。

傳送圖譜及畫圖諮詢。

AVIIIHD700MHz 高磁場超導核磁共振儀 （700NMR） 一維H核光譜：H光譜,同核解偶光譜,選擇性NOE光譜 一維異核光譜：13C,19F,31P,29Si,2D,6Li,71Ga,17O,15N,27Al,光譜定量,DEPT光譜,QUAT光譜等 二維同核光譜：COSY,NOESY,ROESY,HOHAHA,INADQUATE,2DCOSY,2DNOESYexchange及以上各式實驗的watersuppression等 二維異核光譜：HMQC,HSQC,HMBC及以上各式實驗的watersuppression等 自旋晶格磁緩：H核,X核（I>0） 擴散實驗：Diffusion,DOSY ObsH,Dec.31P,ObsH,Dec.19FObsH,Dec.2D 探測dynamic分子異構化的現象,異熱解的試樣於低溫測其結構 2D-.15N-HSQC,2D-.13C-HSQC,2D-NOESY,HNCA,HN（CO）CA,CBCA（CO）NH,CBCANH,HNCACB,HBHA（CO）NH,H（CCCO）NH,（CCO）NH,TROSY,HCCH-COSY,HCCH-TOCSY,3D-.15N-NOESY,.13C-NOESY,動力學實驗 歐傑電子能譜儀 （AES） Survey：表面元素成份分析 AugerPoint：特定位置元素成份分析 AugerLineScan：元素線性分析變化，例如擴散分析等 AugerMapping：元素分佈 Depthprofile：不同深度下元素分佈情況，例如氧化層厚度分析 小角度X光散射儀 （SAXS/WAXS&變溫） （SAXS） SAXSwithVANTEC-2000for1070mm SAXSwithVANTEC-2000for670mm WAXSwithVANTEC-2000for270mm WAXSwithIPfor98mm WAXSwithIPfor50mm SAXSwithVANTEC-2000for1070mm,Heating,andCooling SAXSwithVANTEC-2000for670mm,Heating,andCooling WAXSwithVANTEC-2000for270mm,Heating,andCooling TensilewithVANTEC-2000 高溫二維X-ray廣角繞射儀 （粉末X光二維繞射& 低掠角薄膜X光繞射儀） （XRD2） 粉末繞射（X-RayDiffraction） 殘留應力（ResidualStress） 織構分析（Texture） 變溫實驗（Temperature）withDHS900 拉力實驗（Tensile） 廣角散射（WAXS） X光反射率（X-RayReflectometry） 拉力實驗（Tensile） X光低掠角（GrazingincidenceX-RayDiffraction） InPlaneGrazingincidenceX-RayDiffraction RockingCurve PhiScan 元素分析儀 （EA） 元素分析儀應用於分析各式固體、液體或黏稠狀物質之氮、碳、氫、硫及氧元素，提供各元素之重量百分比。

可分析之樣品種類： 化學及藥學物質 地質學物質 農產品 油品或煤炭及其衍生物 合成物 環境保護類樣品 有機金屬之有機成分鑑定 無機金屬之表面附著或反應之有機成分鑑定 化學分析電子光譜儀 （ESCA-XPS） 表面元素成分分析 Depth.profile 高強度多功能X光 薄膜微區繞射儀 （XRD） 多晶薄膜低掠角繞射(GID) 殘留應力(Residualstress)測定 極圖組織(Polefiguretexture) 單晶薄膜Rockingcurve測定及模擬分析 薄膜Reflectivity測定及模擬分析 微區繞射分析 高溫繞射分析 超導量子干涉磁化儀 （SQUID） 直流磁化率測量測：溫度範圍2K~400K，磁場範圍0Gauss~±70000Gauss。

磁滯曲線量測：溫度範圍2K~400K，磁場範圍0Gauss~±70000Gauss。

交流磁化率量測：溫度範圍2K~400K，磁場範圍0Gauss~±70000Gauss，最大交流磁場振福與頻率分別為100e與1000Hz。

※本設備提供博士後研究員等諮詢服務，對實驗結果有疑問者歡迎隨時來電或e-mail討論。

氦液化系統 （HLS） 氦氣液化，供應液態氦。

（需於三天前預約） 回收氦氣純度測定。

液氦桶提供交換運輸。

（如自備桶須於前兩天灌1/5桶液氮預冷） 前瞻聚焦離子束系統 （FIB） 超高解析定點縱剖面切割 特殊圖形製作 選擇性的Pt/C表面蒸鍍 TEM試片製備 元素成份分析 高解析Orbitrap質譜儀 串聯液相層析 暨晶片電泳分析系統 （CE/LC-MS） 一般分析或定性分析項目： 分子量測定：以質譜測定純化過的化合物分子量。

單一成分高解析ESI-MS/MS：以質譜測定純化過的化合物分子量及二次質譜圖（可包含in-sourceCID測試或量測）。

額外選定離子ESI-MS/MS：以質譜測定指定離子的二次質譜圖。

LC-MS分析（大、小分子）： (1)跑40minLC分離梯度，並連接質譜偵測(Full-MS,DDA,orDIA)。

（樣品需先純化） (2)跑1hrLC分離梯度，並連接質譜偵測(Full-MS,DDA,orDIA)。

（樣品需先純化） ZipChipCE-MS分析：以ZipChip進行毛細管電泳分離，並連接質譜偵測。

（樣品需先純化）。

蛋白質身分鑑定分析：以NanoLC-MS/MS或ZipChipCE-MS分析蛋白質。

蛋白質藥物結構分析：使用LC-MS或ZipChipCE-MS分析，包含 (1)Fullsequence (2)N-orC-terminalsequence (3)Disulfidelinkage (4)N-glycosylationsitesandglycanstructures (5)O-glycosylationsitesandstructures (6)Post-translationalmodification:suchasdeamidationandoxidation 定量分析項目： LC-PRM或LC-SIM定量分析（LC-MS/MS平行反應或目標性選擇離子監測法）：以LC-MS/MS進行平行反應監測（ParallelReactionMonitoring）或目標性掃描（SelectiveIonMonitoring）二次質譜等數據進行定量。

建立定量方法及檢量線：應用分析設備串聯質譜建立定量方法及檢量線。

蛋白質體定量（雙甲基標定）：胜肽N端的胺基及離胺酸殘基之ε胺基經由甲醛反應與氰硼氫化鈉（NaBH3CN）還原，最後形成二甲基胺，使其分子量增加28Da；標定樣品混合後，以質譜儀進行分析，取得定量資訊。

其它： 資料庫搜尋：將ProteinID分析所得peptidefragmentationdata數據進行databasesearch。

ZipTipdesalting：使用ZipTip進行去鹽濃縮。

Ingeldigestion：對蛋白質進行trypticdigestion。

物理性質量測系統儀 （PPMS） 直流磁化率量測：溫度範圍2K~400K，磁場範圍0Gauss~±160000Gauss。

交流磁化率量測：溫度範圍2K~400K，磁場範圍0Gauss~±160000Gauss。

最大交流磁場振幅與頻率分別為100e與10000Hz，最低頻率10Hz。

比熱量測：溫度範圍2K~400K，磁場範圍0Gauss~±160000Gauss。

電阻量測：溫度範圍2K~400K，磁場範圍0Gauss~±160000Gauss，電流範圍100fA~100mA。

熱傳導量測：溫度範圍2K~400K，磁場範圍0Gauss~±160000Gauss。

超低溫交流磁化率量測：溫度範圍0.05K~4K，磁場範圍0Gauss~±120000Gauss。

最大交流磁場振幅與頻率分別為40e與10000Hz，最低頻率10Hz。

超低溫比熱量測：溫度範圍0.05K~4K，磁場範圍0Gauss~±160000Gauss。

超低溫電阻量測：溫度範圍0.05K~4K，磁場範圍0Gauss~±160000Gauss，電流範圍100fA~100mA。

穿透式電子顯微鏡 （TEM） 明場/暗場影像  高解析影像  電子繞射 試片前處理 白光干涉儀 （WLI） 2D/3D量測(2D/3Dmeasurement) 表面粗糙度(Surfaceroughness) 曲面量測(Curvaturemeasurement) 膜厚/段差量測(Thickness/Height) 尺度量測(Dimensionmeasurement) 桌上型掃描式電子顯微鏡 利用電子束在試片上掃描，能夠觀察材料表面微米級影像資訊，分析物體的表面，例如金屬或非金屬的斷裂面、磨損面、塗層結構等的觀察研究。

主要包括：材料、半導體、冶金、機械、礦物、地質、生物、醫學、化學、物理等。

EVG光罩對準機 提供破片~4吋大小試片微影製程。

原子層沉積系統 （ALD） 提供Al2O3、HfO2、SiO2，及TiO2氧化物沉積。

反應式離子蝕刻機 （RIE） 製程氣體：CF4、SF6、O2、Ar 試片尺寸：破片~upto6”wafer Rf最大功率：500W 蝕刻材料：     (1)矽、二氧化矽(SiO2)、氮化矽(SiN)與多晶矽(Poly-Si)等Si-base材料     (2)W及Carbon     (3)光阻有機材料     (4)金屬物理性蝕刻 單晶X-光繞射儀 單晶X光繞射儀適用於”單晶”樣品，可以得到原子在空間中排列分布、原子鍵長以及鍵角等資訊。

服務項目如下： 定晶面 晶格常數分析 常溫／低溫數據收集 結構解析