電晶體漏電流
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延伸文章資訊
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在a-Si:H TFT元件中，主要有兩大漏電流途徑：其一為由半導體層中a-Si中之缺陷所引起之漏電流，另一為半導體層a-Si因光照射所產生之漏電流。由a-Si中之缺陷所引發之漏 ...
- 2第一章了解TFT LCD (3/3)
間的電流，而將TFT 打開或關閉，而得以在. 適當的時機，與驅動信號的來源 ... 汲極與源極間的漏電流小. 於10-12 安培。 ... TFT 電壓-電流公式，可依循MOSFET 的基本.
- 3對面板顯示技術感興趣的，一定要搞清楚，什麼是TFT？
場效應電晶體(Field-Effect Transistor, FET)是一類非常重要的半導體器件,其原理是通過柵極電壓來調控源極和漏極之間半導體溝道的電流。FET作為計算機中央 ...
- 4非晶矽薄膜電晶體光漏電流與電性物理機制之研究
在TFT導通時，電荷會經由TFT儲存於液晶電容及輔助電容中，在TFT關閉後利用上述兩 ... 因電容的電壓必須維持定值至少1/30秒，光漏電流過大會造成TFT在關閉時仍有通道讓 ...
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