國研院台灣半導體研究中心

TN28HPM之下線申請比照現行前瞻性晶片製作流程，詳細說明敬請參閱： (一) 晶片製作時程表：http://www2.cic.org.tw/~cis/chipapply/doc/105.pdf 為提供您更好的網站服務，本網站會使用Cookies及其他相關技術優化用戶體驗，繼續瀏覽本網站即表示您同意上述聲明。

了解隱私權政策 同意 晶片製作 晶片下線 服務說明 下線時程 下線導引 下線申請 測試報告 加總積點 常見問題 下線簽認 自費封裝/細切 聯絡窗口 收費標準 製程矽智財使用 製程/矽智財簡介 製程/矽智財申請 技術資料下載 資安宣導線上評估 SL使用說明 PCB/IPD/覆晶製作 PCB製程/時程/窗口 PCB軟體/技術資料 PCB計費方式 PCB製作申請 PCB申請後作業 IPD基板製作 自費覆晶組裝製作 其他 設計檔案匯出 | 晶片製作| 晶片製作 服務說明 下線時程 下線導引 下線申請 測試報告 加總積點 常見問題 下線簽認 PCB製作 自費封裝申請 聯絡窗口 111年度 ｜ 110年度 目前所在位置:下線時程->107年度-->TN28HPM時程表 財團法人國家實驗研究院晶片系統設計中心 財團法人國家實驗研究院國家晶片系統設計中心 TN28HPM時程表 公告時間：105年7月4日 本中心規劃每年提供二梯次TSMC28nmHPM (代號TN28HPM)製程服務。

使用此28nm製程須先提出計畫書(Proposal)申請，經審查並完成製程權限申請後，設計者 須到本中心的SecurityLaboratory(簡稱SL) 內進行晶片設計；晶片設計完成後， 再由設計者申請前瞻性晶片製作，通過審查程序且排入當梯次晶片製作名單者得下線製作晶片。

一、 作業流程： 計畫書提交 → 28nm製程權限取得 → SL晶片設計 → 晶片下線製作 二、 預訂時程： 梯次 計畫書申請截止 SL開放 晶片製作申請截止(預排) 105B 2016/2/19 2016/4/11 2016/8/15 106A 2016/8/5 2016/9/26 2017/2/6 三、 計畫書申請： TN28HPM製程以Callfor Proposal方式進行，由教授提出計畫申請書，經本中心邀請 學術界各領域之專業委員(教授)進行審查；Callfor Proposal之申請資格/方式/時程、 審查原則/方式、......等相關事項敬請參閱本中心相關公告文件。

四、 Security Laboratory(SL)使用： TN28HPM製程資料統一存放於本中心之SL，由本中心提供相關設計環境與EDATools； 申請人/設計者須先取得製程使用權限才可入內進行晶片設計，亦即申請人/設計者最遲應 於進入SL前完成所有製程資料申請程序與簽署作業。

五、 晶片製作服務： TN28HPM之下線申請比照現行前瞻性晶片製作流程，詳細說明敬請參閱： (一)晶片製作時程表：http://www2.cic.org.tw/~cis/chipapply/doc/105.pdf (二)下線申請說明(TN28HPM晶片製作申請必要資料收件方式)： http://www2.cic.org.tw/~cis/chipapply/doc/TN28HPM_tapeout.pdf (三)晶片製作申請：請進入本中心網頁→製程服務→下線申請→下線新申請 六、 業務聯絡窗口： TN28HPMCallfor Proposal申請 TN28HPM製程資料使用權限申請 SL使用 蔡宜臻小姐，分機886 Email: [email protected] 或 [email protected] TN28HPM晶片製作申請 陳怡華小姐，分機131 Email: [email protected] TN28HPM製程技術諮詢(Full-Custom) 沙主榮先生，分機135 E-mail: [email protected] TN28HPM製程軟體方面技術諮詢 (Cell-Base與I/O) 盧彥均先生，分機885 E-mail: [email protected] TN28HPM製程下線方面技術諮詢 (Cell-Base與I/O) 嚴祥銘先生，分機885 E-mail: [email protected]