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光阻塗佈機/Coater. CSE S-470主要是用來作半導體黃光製程的光阻塗佈。

Spin Coating是最廣為用來上光阻的方法，通常的做法是將定量的阻劑塗佈在晶圓中心，在藉由不同 ... Skiptocontent 產品目錄連結 半導體設備-製程/Coater/CSE-S-470 光阻塗佈機/CoaterCSES-470主要是用來作半導體黃光製程的光阻塗佈。

SpinCoating是最廣為用來上光阻的方法，通常的做法是將定量的阻劑塗佈在晶圓中心，在藉由不同階段的轉速和時間控制，使阻劑均勻塗佈在晶圓表面上。

相關應用半導體黃光製程應用GaN氮化鎵功率晶片 半導體設備-製程/Coater/SVS–MSX1000 光阻塗佈機/CoaterSVSMSX-1000主要是用來作半導體黃光製程的光阻塗佈。

SpinCoating是最廣為用來上光阻的方法，通常的做法是將定量的阻劑塗佈在晶圓中心，在藉由不同階段的轉速和時間控制，使阻劑均勻塗佈在晶圓表面上。

相關應用半導體黃光製程應用GaN氮化鎵功率晶片 半導體設備-製程/Coater/SVS–MSX2000 光阻塗佈機/CoaterSVSMSX-2000主要是用來作半導體黃光製程的光阻塗佈。

通常的做法是將定量的阻劑塗佈在晶圓中心，在藉由不同階段的轉速和時間控制，使阻劑均勻塗佈在晶圓表面上。

該設備有5組塗佈基座。

其設備產能較大，適合量產型生產。

相關應用半導體黃光製程應用GaN氮化鎵功率晶片 半導體設備-製程/Develop/M-D02 光阻顯影機/DevelopTakizawaM-D02主要是用來作半導體黃光製程中的顯影製程。

晶圓在通過曝光過程結束後加入顯影液，正光阻的感光區、負光阻的非感光區，會溶解於顯影液中。

這個步驟完成後，光阻層中的圖形就可以顯現出來。

為了提高解析度，幾乎每一種光阻都有專門的顯影液，以保證高品質的顯影效果。

相關應用半導體黃光製程應用GaN氮化鎵功率晶片 半導體設備-製程/Stepper/UltraTechSS300 曝光步進機/Stepper UltratechSS300曝光機是製造半導體、光電、二極體等大規模積體電路的關鍵影像轉移設備，在生產積體電路的過程中，曝光機扮演把積體電路線路圖案轉換到晶片上去的角色。

曝光機主要原理是利用紫外線通過光罩、底片等圖案模版，並搭配顯影劑使用，去除晶圓表面的光阻，以形成積體電路圖案。

該設備應用於12吋的晶圓曝光使用。

相關應用半導體黃光製程應用GaN氮化鎵功率晶片 半導體設備-製程/ICP/Tainics/TE3100 感應耦合電漿蝕刻機/ICPTainics/ICP-TE3100乾式蝕刻是利用電漿來進行薄膜的蝕刻，其最大優點是具有非等向性蝕刻,主要適用於半導體製程中氮化鎵材料蝕刻or藍寶石基板蝕刻。

相關應用半導體乾式蝕刻製程應用氮化鎵GaN/藍寶石基板(sapphire) 半導體設備-製程/ICP/MAXIS/300LAH 感應耦合電漿蝕刻機/ICPMAXISICP-300LAH乾式蝕刻機產能較大，Batch式的載盤，其工作原理是利用電漿來進行薄膜的蝕刻，其最大優點是具有非等向性蝕刻,主要適用於半導體製程中氮化鎵材料蝕刻or藍寶石基板蝕刻。

相關應用半導體黃光製程應用GaN氮化鎵功率晶片 半導體設備-製程/PECVD/TopEngineer/STX300A 電漿化學氣相沉積/PECVDTOPENGINEERING–STX300A主要是利用電漿讓有機體在真空腔體中產生裂解與聚合反應，形成一結構緻密的保護層。

此膜層具有高阻隔性。

在半導體製程中可當作阻障層或保護層來使用。

用來沉積SiO2及SiNx使用 相關應用半導體薄膜沉積製程應用主要是用來沉積SiO2/SiNx兩種材料。

GaN氮化鎵功率晶片 半導體設備-製程/Asher/TOKTCA-3400 電漿去除清洗機/AsherTOKTCA-3400主要是利用電漿,通入O2或Ar對晶圓進行表面蝕刻，達到清洗之效用。

相關應用半導體製程光阻殘膜清洗應用，主要是去除晶圓上殘留光阻使用。

GaN氮化鎵功率晶片 半導體設備-製程/Sputter/FSEFU-16PSB 濺鍍機/SputterFSEFU16PSB是利用電漿(Plasma)對靶材料進行離子轟擊，而將靶材料表面的原子撞擊出來，這些靶原子以氣體分子型式發射出來，到達欲沉積的晶圓(基板)上，經過附著、吸附、表面遷徙、成核等過程之後，於晶圓(基板)上成長形成薄膜。

相關應用半導體濺鍍製程應用主要是用來做陰極氧化物材料濺鍍。

GaN氮化鎵功率晶片 半導體設備-製程/ElectricFurnace/ULVACH63-50LH 橫式爐管/ ElectricFurnace ULVACFurnaceH36-50LH主要目的在於利用高溫，使物質之原子或分子產生活化作用，因而得以由高濃度區域移至低濃度，形成所須之半導體區域。

相關應用半導體擴散製程應用主要是利用高溫讓分子移動，讓材料形成所需之半導體區域。

半導體設備-製程/LaserScriber/HansWS4986 雷射切割機/LaserScriberHansWS4986LaserScriber主要目的將晶片用雷射擊穿晶片表面，並依循晶片之切割道進行晶片切割作業。

相關應用半導體晶圓切割製程使用主要是利用雷射聚焦原理,進行晶片切割。

半導體設備-製程/MapSorter/ASMMS100 晶片分類機/SorterASMMS-100分類機主要目的將晶片依據光電特性及晶片外觀，進行分類挑選至出貨的藍膜上。

相關應用LED晶粒分選製程使用。

LED 半導體設備-量測/PLMapper/EtaMaxPLATO 螢光分光光譜儀/PLMapperEtaMax–PLATO應用於半導體材料的光學特性與電子結構的分析量測。

PL光譜可以顯示出材料的優劣性，例如:材料的均勻度、雜質分布以及缺陷(defects)。

相關應用半導體材料特性量測使用 半導體設備-量測/XRD/BRUKERAXSD8 X射線繞射儀/XRDBrukerAXSD8是利用X射線繞射原理研究物質內部結構的一種大型分析儀器。

令一束X射線和樣品交互，用生成的衍射圖譜來分析晶圓物質結構。

相關應用半導體材料特性量測使用 半導體設備-量測/Ellipsometry/SE500 橢偏儀/EllipsometrySENTECHSE-500主要應用於薄膜的介電性質量測。

在許多不同的領域，從基礎研究到工業應用，如半導體物理研究、微電子學和生物學。

橢圓偏振是一個很敏感的薄膜性質測量技術，且具有非破壞性和非接觸之優點。

用來量測薄膜厚度與反射率。

相關應用半導體材料特性量測使用